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      1963年，日本的集成電路產(chǎn)業(yè)似乎走到了一個死胡同。

在此之前的十年，由于美國“援日抗蘇”的大方針，日本坐收漁翁之利，以極低廉的價格獲得了美方大量先進(jìn)技術(shù)的授權(quán)。日本的電子產(chǎn)業(yè)越過了軍用，直接在民用領(lǐng)域飛速發(fā)展。

日本政府在上世紀(jì)五十年代做了兩件事，一個是在通商產(chǎn)業(yè)省（相當(dāng)于中國的工信部）底下設(shè)立了工業(yè)技術(shù)院，完全由財(cái)政撥付經(jīng)費(fèi)，負(fù)責(zé)推動日本整體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展；另一個是頒布了電子工業(yè)振興臨時措置法（電振法1957年～1971年），限制外資進(jìn)入日本，以保護(hù)本國市場，同時引導(dǎo)日本企業(yè)向電子行業(yè)進(jìn)軍。

其實(shí)那時候日本的晶體管產(chǎn)業(yè)已經(jīng)發(fā)展得相當(dāng)紅火。1953年，SONY（當(dāng)時還叫日本東京通信工業(yè)株式會社）的創(chuàng)始人盛田昭夫耗資2.5萬美元從美國西屋電氣引進(jìn)了晶體管技術(shù)后，用了三年時間研發(fā)推出了袖珍收音機(jī)。

這個很能體現(xiàn)日本人心思的產(chǎn)品一炮走紅，晶體管也找到了一個絕佳的商業(yè)用途。

東京通信工業(yè)株式會社（SONY前身）推出的第一款袖珍晶體管收音機(jī)TR-55，圖片來源：搜狐新聞

在此之后，隨著規(guī)模化生產(chǎn)，日本的晶體管價格明顯下降。1953年SONY試制晶體管時一顆還要11美元，到1958年已經(jīng)降到0.5美元。到了1959年，包括SONY、NEC、三洋、東芝在內(nèi)的日本企業(yè)一年生產(chǎn)了8650萬顆晶體管，這一規(guī)模已經(jīng)超過了技術(shù)的發(fā)源地美國。


為什么日本的晶體管產(chǎn)業(yè)可以發(fā)展的這么快？說起來，其實(shí)是中國人都很熟悉的原因。

當(dāng)時的日本和美國相比，最大的優(yōu)勢就是人工便宜——東京電子廠的日本工人月薪還不到30美元，而美國技術(shù)工人一個月要拿380美元。

不過這時候的美國并不在乎誰生產(chǎn)的規(guī)模大，因?yàn)樗幱诋a(chǎn)業(yè)技術(shù)日新月異的突破期。

1959年2月，美國德州儀器（TI）的工程師杰克基爾比制作了世界上第一塊集成電路，他也因此在2000年獲得了諾貝爾物理學(xué)獎。以西屋電氣（Westing House）為代表的美國企業(yè)向世界宣布：“晶體管時代已經(jīng)過去，以集成電路為代表的半導(dǎo)體技術(shù)才是未來的主流。”

因此，雖然晶體管的產(chǎn)業(yè)規(guī)模做到了世界第一，在政府部門的技術(shù)援助下，日本NEC公司也在1958年推出了第一臺完全國產(chǎn)化的晶體管計(jì)算機(jī)NEAC-2201，但當(dāng)日本政府驕傲地把它運(yùn)到巴黎萬國博覽會上進(jìn)行展出時，卻發(fā)現(xiàn)這個產(chǎn)品已經(jīng)out了。

這讓日本人受到了很大的刺激。之前政府還只是提供技術(shù)援助，研發(fā)主要依靠企業(yè)，而在此之后就迅速升級為“官產(chǎn)學(xué)”三位一體進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)。

舉個例子，通產(chǎn)省工業(yè)技術(shù)院的電氣試驗(yàn)所，在1960年底利用逆向工程的方式研發(fā)出日本第一塊晶體管集成電路后，東京大學(xué)工學(xué)部的教授們旋即與NEC公司展開合作，對晶體管集成電路進(jìn)行基礎(chǔ)性的研究。

參與研制晶體管集成電路的日本通產(chǎn)省工業(yè)技術(shù)院電氣試驗(yàn)所骨干成員，左起，傳田精一(研究員，東北大學(xué)工學(xué)博士)、垂井康夫(半導(dǎo)體部晶體管研究室主任)、井上ルミ子、鳴神長昭。圖片來源：新浪博客

然而日本的科學(xué)家們很快就發(fā)現(xiàn)，逆向工程可以幫助實(shí)驗(yàn)室研發(fā)一塊集成電路，卻無法幫助工廠批量生產(chǎn)。工藝技術(shù)，從那時起就是橫亙在半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室和工廠之間的一道天塹。

不過在當(dāng)年，解決日本人難題的辦法正好掌握在美國人手中。美國著名的仙童半導(dǎo)體已經(jīng)有了一套成型的“平面技術(shù)”生產(chǎn)工藝，可以幫助實(shí)現(xiàn)硅晶體管的批量生產(chǎn)。

更妙的是，1962年仙童公司決定以收取技術(shù)授權(quán)費(fèi)的方式向其他企業(yè)傳播這一制造工藝，已經(jīng)苦苦等待好幾年的日本NEC公司立馬把錢拍在了仙童CEO的桌子上。

解決工藝問題后，日本NEC的集成電路產(chǎn)量暴增。1961年只有50塊，1962年增長至1.18萬塊，1965年達(dá)到5萬塊。到1970年，日本NEC的集成電路產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到3998萬塊。

不過，NEC取得這一技術(shù)授權(quán)之后并沒能獨(dú)享，日本政府要求它將其開放給日本的其他企業(yè)。盡管NEC有一百個不情愿，但由于自己的技術(shù)研發(fā)還要仰仗政府的投入，因此也只能遵命行事。三菱、京都電氣等公司趁此機(jī)會快速切入，日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式起航。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)啟程之后，日本政府又做了兩件事情：

第一個是“明目張膽”的貿(mào)易保護(hù)。60年代初，德州儀器看到日本電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，想要設(shè)立獨(dú)資子公司分一杯羹，卻在日本政府那里吃了閉門羹。經(jīng)過四年的軟磨硬泡，通產(chǎn)省終于松了口，卻提出了極為苛刻的條件——拿核心技術(shù)來換市場。

這個換，和改革開放后中國的“拿市場換技術(shù)”形同而神不同。

日本政府要求德州儀器先和索尼設(shè)立股權(quán)對半分的合資公司——凡是德州儀器獨(dú)資子公司銷售的產(chǎn)品，在合資公司里也必須有。其次，要在三年內(nèi)向日方公開與產(chǎn)品相關(guān)的所有技術(shù)專利。最后，德州儀器獨(dú)資公司的產(chǎn)品在日本市場的占有率不得高于10%。

三管齊下，通產(chǎn)省為了拿到技術(shù)的同時保護(hù)日本市場，可以說是相當(dāng)處心積慮了。

這僅僅是當(dāng)年日本政府保護(hù)本土電子產(chǎn)業(yè)的一個縮影。為了防止美國企業(yè)的沖擊，通產(chǎn)省還只允許極少數(shù)的電子元器件進(jìn)口，而對200日元以下的中低端芯片元件進(jìn)口設(shè)立了很高的關(guān)稅，甚至采取了進(jìn)口許可證政策。

第二個是“深謀遠(yuǎn)慮”的政府主導(dǎo)。70年代的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭遇了兩個重大事件的沖擊：一個是在美國的政治壓力下，1974年日本被迫放寬了計(jì)算機(jī)和電子元件的進(jìn)口限制。當(dāng)時在技術(shù)上有著碾壓優(yōu)勢的“藍(lán)色巨人”IBM公司如入無人之地，橫掃日本各大企業(yè)，僅僅用了一年時間就占領(lǐng)了日本計(jì)算機(jī)市場40%的份額。

另一件事也和IBM 公司有關(guān)，其內(nèi)部的“Future System計(jì)劃”文件曝光，透露出IBM要在1980年之前開發(fā)出1M的DRAM內(nèi)存芯片用于下一代電腦。要知道，當(dāng)時日本企業(yè)還停留在1K DRAM的技術(shù)層次，這之間的差距不是10倍，也不是100倍，而是1024倍。 

日本人再次被刺激了。為了應(yīng)對沖擊，日本政府在1976年～1979年間組織了一場奠定之后在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位的關(guān)鍵行動——超大規(guī)模集成電路的共同組合技術(shù)創(chuàng)新行動，簡稱VLSI項(xiàng)目。

1977年5月5日，日本VLSI技術(shù)研究所宣布研制成功可變尺寸矩形電子束掃描裝置。圖片來源：新浪博客

這一項(xiàng)目以通產(chǎn)省提出的“下世代電子計(jì)算機(jī)用超LSI研究開發(fā)計(jì)畫”為中心，以富士通、日立、三菱、日本電氣、東芝五大公司為骨干，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究院電子綜合研究所和計(jì)算機(jī)綜合研究所組成“超LSI研究開發(fā)政策委員會”，投資規(guī)模超過720億日元（約合2.4億美金）。

這個金額有多大？作為比較，當(dāng)年中國的外匯儲備總量只有1.8億美金。

VLSI項(xiàng)目成為日本“官產(chǎn)學(xué)”一體化的集大成者。它將五家平時互相競爭的計(jì)算機(jī)公司以及政府和高等院校的研究人才組織到了一起。從管理架構(gòu)上來看，日立公司社長吉山博吉擔(dān)任理事長，通產(chǎn)省的根橋正人負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)領(lǐng)導(dǎo)，來自東京工業(yè)大學(xué)的垂井康夫則擔(dān)任研究所長。這意味著平時在技術(shù)研發(fā)上相互提防的企業(yè)有了充分交流的渠道，而學(xué)術(shù)研究和商業(yè)應(yīng)用之間的轉(zhuǎn)換通道也變得更加通暢。

1980年，日本宣布為期四年的VLSI項(xiàng)目順利完成，期間申請實(shí)用新型專利1210件，商業(yè)專利347件。更重要的是，到了64K DRAM大規(guī)模集成電路時代，富士通公司的研發(fā)進(jìn)度開始與IBM、德州儀器等美國企業(yè)并駕齊驅(qū)，而到了256K DRAM時代，美國才剛研制出來，日本富士通和日立的產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)上市。

靠著政府和產(chǎn)業(yè)界大規(guī)模的投入，日本一步步抹平了在半導(dǎo)體領(lǐng)域和美國的技術(shù)差距。

上世紀(jì)80年代是日本在半導(dǎo)體行業(yè)的全盛時期。

一方面有成本和可靠性上的優(yōu)勢，一方面有崛起的汽車和個人電腦行業(yè)做應(yīng)用場景，日本企業(yè)開始進(jìn)入投資—量產(chǎn)—再投資的良性循環(huán)，半導(dǎo)體對美國出口額從1979年的4400萬美元暴增至1984年的23億美元。

而反觀美國，由于在石油危機(jī)后經(jīng)濟(jì)陷入停滯，企業(yè)主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域投資逐漸減少，這成為在技術(shù)和工藝上被日本全面超越的關(guān)鍵原因。

莫斯泰克被收購，英特爾巨額虧損宣布退出DRAM領(lǐng)域，德州儀器也被富士通奪去了行業(yè)老大的位置。到了1989 年，日本芯片在全球的市場占有率已經(jīng)達(dá)到53%，而美國僅剩37%。

1990年全球十大半導(dǎo)體企業(yè)，日本企業(yè)（灰色）占據(jù)六席，資料來源：CNKI，云鋒金融整理

不過成也蕭何敗也蕭何，日本半導(dǎo)體行業(yè)盛極而衰的轉(zhuǎn)折點(diǎn)同樣是因?yàn)橥顿Y。

由于之前的巨額資本開支，日本廠商在1985年之后有了海量產(chǎn)能，這讓當(dāng)時商業(yè)應(yīng)用還不夠多的芯片價格出現(xiàn)暴跌。日企將美國對手打趴下的同時，卻也“殺敵一千自損八百”，讓自己的盈利能力受到了巨大影響。

和之后韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的寡頭壟斷不同，日本的產(chǎn)業(yè)模式是由幾家巨頭齊頭并進(jìn)，在盈利受損的情況下，出于股東權(quán)益的考慮，日企不得不減少了對半導(dǎo)體的技術(shù)設(shè)備投資。

1985年，日本砍掉近40%的設(shè)備更新投資和科技紅利投入。隨后兩年，日本企業(yè)的有效研發(fā)投入更是出現(xiàn)了接近80%的斷崖式下跌。

火上澆油的是，此時日本已經(jīng)進(jìn)入了全面泡沫時代，資金瘋狂涌入房地產(chǎn)和金融市場，不再青睞半導(dǎo)體這樣需要大量前期投資卻短時間看不到成效的實(shí)體產(chǎn)業(yè)。加上廣場協(xié)議之后日元迅速升值，半導(dǎo)體產(chǎn)品出口的競爭力受到了極大影響。

韓國的三星、現(xiàn)代、LG等廠商在此階段通過加大投資彎道超車，迅速趕超日本。1992年，三星將NEC擠下了DRAM產(chǎn)業(yè)世界第一的寶座，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的輝煌結(jié)束了。

在上世紀(jì)90年代以來半導(dǎo)體價格起起落落的周期中，日本企業(yè)一方面要消化“失去二十年”帶來的經(jīng)濟(jì)衰退影響，一方面還要鼓起勇氣追加投資，以便和年輕氣盛的韓國三星，以及借CPU打了翻身仗的美國英特爾競爭，這成為了一個幾乎不可能完成的任務(wù)。
 
亞洲金融危機(jī)期間的行業(yè)衰退徹底打垮了日本的半導(dǎo)體企業(yè)。富士通在1999年宣布退出DRAM芯片市場，曾經(jīng)獨(dú)霸天下的NEC、日立、三菱則將各自的DRAM部門合并成立爾必達(dá)（Elpida）。

然而爾必達(dá)從一出生便帶著滿身傷病，不但管理混亂、職位冗余，甚至在工藝、設(shè)備等生產(chǎn)供應(yīng)鏈上都沒有實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一兼容，完全無法與集權(quán)式管理的三星競爭。

2012年2月，當(dāng)爾必達(dá)向東京地方法院申請破產(chǎn)保護(hù)時，公司負(fù)債總額已高達(dá)4480億日元（約合89.6億美元），是日本史上最大的破產(chǎn)案件。2012年7月，美國的鎂光（Micron）以區(qū)區(qū)25億美元的低價收購爾必達(dá)。

歷史就是這么愛開玩笑，兜兜轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)幾十年，最終日本DRAM產(chǎn)業(yè)的遺珠還是回到了美國人的手中。而日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，從此收縮到了上游的材料領(lǐng)域割據(jù)為王。

如果說日本半導(dǎo)體行業(yè)的崛起依靠的是初期從美國的技術(shù)引進(jìn)加上政府“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的規(guī)劃和投資能力，那么韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑更像是這個故事的加強(qiáng)版——更密集的技術(shù)援助，更“無賴”的政府保護(hù)和更強(qiáng)勢的企業(yè)投資。

“棋子”韓國
 
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步比美日要晚上十幾年。

當(dāng)美國和日本在上世紀(jì)六十年代初已經(jīng)先后進(jìn)入晶體管集成電路時代時，韓國的樸正熙剛剛通過軍事政變上臺，整個國民經(jīng)濟(jì)還處于崩潰的邊緣。

因此，和日本從一開始就采取嚴(yán)格的貿(mào)易保護(hù)政策呵護(hù)本土電子產(chǎn)業(yè)不同，韓國政府在發(fā)展伊始采取的是拿來主義——只要你愿意給，不管什么條件我都接受。

在這一階段，韓國政府不但放寬了《外國資本引進(jìn)法》，還謀求加入《關(guān)貿(mào)總協(xié)定》。1966年，當(dāng)年向日本授權(quán)平面技術(shù)生產(chǎn)工藝的美國半導(dǎo)體巨頭仙童公司向韓國政府提出了建廠要求。但仙童的條件十分苛刻，不但要求獨(dú)資經(jīng)營，而且還要求政府允許獨(dú)資公司的產(chǎn)品在韓國市場銷售。盡管如此，韓國政府還是咬牙同意了。

有了這一先例，摩托羅拉、東芝等電子巨頭紛紛效仿，韓國的芯片組裝廠如雨后春筍般建立了起來。這些半導(dǎo)體跨國巨頭采取來料加工的模式，利用韓國的廉價勞動力組裝美國、日本的零部件再轉(zhuǎn)出口，從中賺取了不菲的利潤。

幾十年后，韓國巨頭們把同樣的模式用在了中國身上。海力士拿著韓國利川工廠淘汰下來的8寸晶圓設(shè)備，依靠中國的資金、土地、工人和市場，只用了3億美金就撬動了20億美元的投資，順利地在無錫建起了中國當(dāng)時最大的晶圓廠。

由無錫市政府負(fù)責(zé)投資建設(shè)，耗資3億美金的海力士廠房，建好后再返租給韓國海力士使用，圖片來源：海力士官網(wǎng)
 
但當(dāng)經(jīng)濟(jì)逐漸企穩(wěn)復(fù)蘇后，韓國政府慢慢露出了“無賴”的一面。

1969年，當(dāng)時還在經(jīng)營紡織、化肥、制糖這些傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的三星財(cái)團(tuán)，在韓國貿(mào)工部支持下開始為日本三洋代工生產(chǎn)家電，包括12英寸黑白電視機(jī)、洗衣機(jī)、冰箱等，借機(jī)進(jìn)入了電子產(chǎn)業(yè)。  
 
等到1974年三洋完成了對三星的技術(shù)轉(zhuǎn)移后，韓國政府立刻修改了外資的投資法規(guī)，不再對合資企業(yè)開放本國市場，從而迫使三洋等日資企業(yè)停止了在韓投資，全面退出韓國市場。

企業(yè)與企業(yè)，國家與國家之間的競爭從來就不是“潔白無瑕”的，法規(guī)既然由國家制定，就會以最符合當(dāng)時國家利益的形式出現(xiàn)。

韓國人無疑深諳此道。

不過政府只能算是韓國企業(yè)進(jìn)入電子行業(yè)的引路人，美國才是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的貴人。
 
當(dāng)年三星的太子李澤熙從美國回來后，花了十年時間試圖進(jìn)軍DRAM行業(yè)，卻一直找不到法門。直到1983年，三星宣布在京畿道器興（Giheung）建立第一個半導(dǎo)體工廠，卻意外獲得了美國的支援。

原因很簡單。彼時，美國的半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)被日本同行打得潰不成軍，從政府到企業(yè)都急需一支外援來幫他們打一場漂亮的反擊戰(zhàn)。既有充足的意愿和政府的支持，又有廉價勞動力的韓國企業(yè)就成了首選。

在美國的扶持下，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)直接從16K DRAM起步，僅僅用了3年時間就一口氣掌握了16K到256K DRAM的關(guān)鍵技術(shù)。這一階段，美國對于韓國的援助規(guī)模超過了20億美金。

當(dāng)然，拿到技術(shù)只是第一步，如何消化理解和再創(chuàng)造才是關(guān)鍵。這時，韓國人的民族自豪感開始起作用。

三星在硅谷設(shè)立的研發(fā)團(tuán)隊(duì)專門招募韓裔的美國工程師，不少人在愛國情懷的感召下，放棄自己多年的事業(yè)，轉(zhuǎn)身回到韓國，夜以繼日地投入研發(fā)當(dāng)中。其有一個叫陳大濟(jì)的年輕人謝絕了IBM的再三挽留，義無反顧地加入了三星，理由就是“真想贏日本一次”。這個年輕人后來成了三星電子的CEO。

在這樣一支戰(zhàn)斗隊(duì)伍的配合下，三星僅用了一年時間就消化了64K DRAM技術(shù)并開始批量生產(chǎn)，而等到后來鎂光為了應(yīng)對日本重壓，將256K DRAM技術(shù)也授權(quán)給韓國企業(yè)時，進(jìn)入量產(chǎn)模式的時間又被壓縮了一半。

僅此一役，三星就將自己與美國日本的技術(shù)差距由4年縮短到了2年。

此時，韓國政府也全力配合，將日本“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的研發(fā)模式有樣學(xué)樣，由韓國電子通信研究所（KIST）牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代與韓國六所大學(xué)，一起對4M DRAM進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)。該項(xiàng)目持續(xù)了三年，研發(fā)費(fèi)用高達(dá)1.1億美元，其中韓國政府承擔(dān)了57%。

1989年，三星成功量產(chǎn)4M DRAM，和日本幾乎同時投放市場。這時離韓國正式進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，僅僅過去了六年。

用了8年時間，韓國的DRAM產(chǎn)業(yè)完成了對日本的超越，資料來源：云鋒金融整理

盡管韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)家史沾了美國大兵的光，但在之后的崛起過程中，美國漸漸失去了對韓國企業(yè)的控制。這其中的關(guān)鍵因素，就是三星這家獨(dú)一無二的“企業(yè)”。

在韓國，三星的影響力可謂“一手遮天”。這家公司每年的營收占了韓國GDP的20%，有人調(diào)侃，韓國人一生有三件事情無法避免——死亡、稅收和三星。

在半導(dǎo)體行業(yè)，三星最出名的就是其拼命三郎式的“反周期投資”策略。

在之前介紹的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)史中，上世紀(jì)80年代后半段是行業(yè)的低潮期。三星在1984年推出64K DRAM時，恰逢內(nèi)存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，由于三星的生產(chǎn)成本是1.3美元，所以每賣一片內(nèi)存，公司就要虧掉1美元。3年時間公司損失了3億美元，這足以讓三星電子的股權(quán)資本金全部歸零。

然而和當(dāng)時黯然退出DRAM行業(yè)的英特爾，以及大幅削減資本開支的NEC等日企不同，三星選擇了逆勢而上，像賭徒般瘋狂加碼。

越是困難，就越要加大投資。這是李澤熙的斗志體現(xiàn)，而三星集權(quán)式的管理結(jié)構(gòu)成全了他。好在半導(dǎo)體行業(yè)的周期并不長，1987年的日美半導(dǎo)體協(xié)議就讓DRAM內(nèi)存價格回升，三星活了過來。
 
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資從此風(fēng)起云涌。從1990年開始，三星建立了26個研發(fā)中心，LG建立18個，現(xiàn)代建立14個，對半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)投入從1980年的850萬美金飆升至1994年的9億美金。在專利技術(shù)方面，1989年韓國的專利技術(shù)應(yīng)用有708項(xiàng)，1994年已經(jīng)上升到3336項(xiàng)。

不過更能體現(xiàn)三星投資特色的，還是2008年金融危機(jī)時的殊死一戰(zhàn)。

彼時，DRAM價格暴跌九成，就在全行業(yè)陷入虧損，眾廠商哀鴻遍野時，三星卻做出一個令人瞠目結(jié)舌的決定：將三星電子上一年的利潤全部用于擴(kuò)大產(chǎn)能，故意擴(kuò)大行業(yè)的虧損。

很快，DRAM的價格就跌破材料成本，工廠全面陷入停工。最先倒下的是德國巨頭奇夢達(dá)，由于資金鏈斷裂，于2009年初破產(chǎn)。日本的爾必達(dá)在苦苦支撐數(shù)年后被美光收購。

這一役過后，整個DRAM行業(yè)只剩下三星、SK海力士和美光三大玩家。其中，三星和SK海力士兩大韓國巨頭獨(dú)占75%的份額，成為名副其實(shí)的行業(yè)霸主。

為什么三星可以如此不顧產(chǎn)業(yè)周期地進(jìn)行投資？為什么它又每次都能熬過最艱難的時期，死里逃生成為最后的贏家？

因?yàn)樵谒澈螅蟹鶈T遼闊的需求市場。不，我們說的不是“彈丸之地”的韓國。
 
1986年，在三星電子的股權(quán)資本金幾乎全部虧光的關(guān)鍵時刻，美國政府依據(jù)《日美半導(dǎo)體協(xié)議》對日本人的約束，對韓國企業(yè)打開了當(dāng)年全球最大的消費(fèi)市場——美國國內(nèi)市場。韓國半導(dǎo)體企業(yè)迅速填補(bǔ)了日企留下的空白，占據(jù)了30%的美國DRAM市場份額。一年后，三星扭虧為盈，度過最危險的時刻。

十幾年后，向韓國半導(dǎo)體企業(yè)打開的市場變成了中國。除了無錫海力士工廠的案例讓其安然度過金融危機(jī)以外，三星在“韓日NAND FLASH戰(zhàn)斗”中的勝利也同樣要部分歸功于中國市場。

2011年，三星與日本東芝在NAND FLASH領(lǐng)域的全球競爭如火如荼。當(dāng)時三星在韓國和美國共有4座NAND FLASH 12英寸晶圓廠，年產(chǎn)能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距，三星決定繼續(xù)追加投資新建工廠。

經(jīng)過談判，三星最終選擇落戶中國西安，項(xiàng)目總投資300億美金，分三期建設(shè)。要知道，2011年三星半導(dǎo)體的全球銷售金額不過才285億美金，而之所以敢在西安項(xiàng)目上砸下重金，和地方政府提供的巨額優(yōu)惠政策是分不開的。
 
當(dāng)三星的西安項(xiàng)目落成之后，其巨大的產(chǎn)能優(yōu)勢讓東芝唯有放棄了存儲部門，韓國人兵不血刃，輕松拿下了這場戰(zhàn)爭。

可以說，三星“賭徒式”的反周期投資背后，是對投資和需求兩端的精準(zhǔn)把握。韓國人深刻領(lǐng)悟了這么一個道理——半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是靠巨額投資拼出來的，而投資卻是要靠具有戰(zhàn)略縱深的需求市場托起來的。

要問誰對中國市場的重要性理解最深刻，韓國半導(dǎo)體行業(yè)未必比得過中國臺灣。然而，如果說韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是“政府意志+技術(shù)援助+企業(yè)投入”一整套日版故事的加強(qiáng)版，那么中國臺灣就可以算是這個故事的反面教材。

政府意志：投入不足，選擇錯誤

上世紀(jì)七十年代初，臺灣的電子工業(yè)曾經(jīng)和同期的韓國一樣，僅僅是美日企業(yè)的出口加工地。彼時，集成電路還只是臺灣大學(xué)的一門課程，沒有人想到小小的臺灣可以在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有所作為。

轉(zhuǎn)折點(diǎn)發(fā)生在1975年，政府意志將臺灣推上了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快車。

時任“臺灣省經(jīng)濟(jì)部長”的孫云璇，在訪韓時看到韓國政府高薪聘請美國韓裔研究人員回國發(fā)展電子工業(yè)，受到了極大的觸動。韓國可以做到的，為什么臺灣不可以？

回來后，他便主張成立了臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（簡稱工研院），下設(shè)電子所，并選派了一批相關(guān)學(xué)科的碩士和博士工程師到美國RCA公司學(xué)習(xí)集成電路的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)。

為什么是RCA？因?yàn)楸藭r在這家公司擔(dān)任微波研究室主任的，正是臺灣人潘文淵。潘還幫助臺灣以4.89億元新臺幣（約1287萬美元）的價格購入了RCA的整條3英寸晶圓生產(chǎn)線。這讓臺灣在這一規(guī)格上的建廠速度領(lǐng)先了韓國一年時間。

而當(dāng)年送去美國學(xué)習(xí)技術(shù)的那群年輕人歸來后，成為臺灣集成電路行業(yè)的頂梁柱，配合著臺灣省政府三個階段的“電子工業(yè)研究發(fā)展計(jì)劃”，先后孕育了聯(lián)華電子、臺積電、臺灣光罩、世界先進(jìn)等多家集成電路制造公司。

1976年，美國佛羅里達(dá)州，臺灣工研院送到美國RCA接受3英寸晶圓廠培訓(xùn)人員。左起王國肇（創(chuàng)惟科技董事長）、林緒德、楊丁元（華邦電子創(chuàng)辦人）、蔡明介（聯(lián)發(fā)科創(chuàng)辦人）、萬學(xué)耘、章青駒（世界先進(jìn)董事長）、謝錦銘、謝開良、劉長誠。圖片來源：新浪微博

然而臺灣政府在將這些企業(yè)送上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“快車”后，卻接連犯錯，最終讓500億美元的投資、2萬多名科技精英的心血在DRAM產(chǎn)業(yè)上打了水漂。

第一，日韓的歷史已經(jīng)證明，要想在半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)擁有立足之地，獨(dú)立自主的核心技術(shù)體系是不可或缺的底氣，而實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的唯一手段就是不計(jì)成本的研發(fā)投入。企業(yè)自身很難擁有這樣的格局和投資能力，只有政府力量才能發(fā)揮引導(dǎo)和領(lǐng)投作用。

當(dāng)年的日本擁有“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的力量攻關(guān)重點(diǎn)項(xiàng)目，韓國也曾依靠財(cái)閥和政府的互動關(guān)系屢屢進(jìn)行技術(shù)沖關(guān)，而臺灣在“民進(jìn)黨”上臺之后，卻盲目相信自由市場經(jīng)濟(jì)理論，再沒有這樣的“舉省體制”支持產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

一個典型案例就是金融危機(jī)時失敗的“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”。當(dāng)時臺灣的六家DRAM廠商虧損嚴(yán)重，資本實(shí)力最為雄厚的南亞科技從2007年起連續(xù)巨虧六年，累計(jì)虧損達(dá)到1608.6億新臺幣（約49億美元），最慘的時候每股凈值只剩下0.09新臺幣。

為了應(yīng)對危機(jī)，臺灣省政府成立了臺灣記憶體公司TMC，由聯(lián)電副董事長宣明智負(fù)責(zé)，對六家DRAM廠商進(jìn)行控股整合。同時，TMC與爾必達(dá)、鎂光展開談判，期望共同合作推進(jìn)自主技術(shù)的研發(fā)。

彼時，在金融危機(jī)中陷入困境的爾必達(dá)非常愿意向臺灣人提供全部核心技術(shù)，以換取援助資金。但因?yàn)檎Ｍ鸗MC是一家盡可能純粹的民營企業(yè)，因此并沒有主導(dǎo)這一項(xiàng)目，背后有著不同技術(shù)合作對象的六家臺灣DRAM廠商遲遲無法整合，和爾必達(dá)的談判推進(jìn)緩慢。

與此同時，臺灣媒體也在煽風(fēng)點(diǎn)火，《自由時報》就以《國發(fā)基金小心掉進(jìn)大錢坑》為標(biāo)題，宣稱TMC是個錢坑，DRAM產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過剩、流血競爭等，不適合政府用納稅人的錢參與其中。

2009年10月，“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”在臺灣省立法院審議時遭到否決，國發(fā)基金被禁止投資TMC公司，臺灣省DRAM產(chǎn)業(yè)整合計(jì)劃宣告失敗。而此時，全球DRAM行業(yè)已經(jīng)開始出現(xiàn)回暖，爾必達(dá)也不再尋求向臺灣轉(zhuǎn)讓核心技術(shù)。

曾經(jīng)放在臺灣半導(dǎo)體人面前短暫的發(fā)展窗口就這樣關(guān)閉了。臺灣DRAM行業(yè)從此一蹶不振，并在2015年鎂光收購華亞科技后徹底消失。

第二，由于“民進(jìn)黨政府”的錯誤選擇，臺灣放棄了大陸市場的戰(zhàn)略縱深。

日本在半導(dǎo)體核心技術(shù)的發(fā)展期擁有本土和美國的廣闊市場，而韓國先有美國開放市場，后又深入中國市場。臺灣則背道而馳，在民進(jìn)黨上臺后“拒絕西進(jìn)大陸”。

這一充滿政治意味的選擇，也是臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)在2008年金融危機(jī)時被血洗后無力回天，而韓國的海力士由于無錫工廠的投產(chǎn)和中國市場的旺盛需求，僅僅用了一年時間就扭虧為盈的關(guān)鍵原因。

企業(yè)投入：自主還是代工？

說到臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不得不提的霸主就是臺積電。然而正是臺積電的成功，讓臺灣的半導(dǎo)體行業(yè)全面轉(zhuǎn)向更“短平快”獲取利潤的代工模式，失去了研發(fā)核心技術(shù)的可能性。

其實(shí)臺積電的代工基因從一誕生便已注定。

1985年8月，德州儀器的資深副總裁張忠謀辭去工作，回到臺灣出任工研院負(fù)責(zé)人。張忠謀提出了設(shè)立專業(yè)芯片代工廠的設(shè)想，為那些沒有晶圓廠的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司提供代工生產(chǎn)。恰巧此時，荷蘭飛利浦公司也希望在臺灣設(shè)立晶圓廠，兩者一拍即合。1987年，臺灣積體電路制造公司（TSMC）作為晶圓代工廠孕育而生。

在此之后，臺積電便如巨獸般不斷吞食擁有技術(shù)研發(fā)意愿，卻因?yàn)樾袠I(yè)周期虧損而被拋棄的同行們。

1989年，臺灣宏碁電腦（占股74%）與美國德州儀器（占股26%）合資設(shè)立德碁半導(dǎo)體，這是臺灣第一家專業(yè)的DRAM生產(chǎn)廠。然而受到景氣周期影響，在亞洲金融危機(jī)期間德碁累計(jì)虧損超過50億新臺幣。此時，美國德州儀器終于不堪忍受，將DRAM業(yè)務(wù)甩賣給了鎂光。德碁失去了技術(shù)來源后，1999年被宏碁高價出售給了臺積電，隨后被臺積電改造成了晶圓代工廠。

1994年，臺灣省經(jīng)濟(jì)部在新竹園區(qū)投資180億新臺幣（5億多美元），創(chuàng)辦世界先進(jìn)積體電路股份有限公司（簡稱世界先進(jìn)），以DRAM芯片為主攻業(yè)務(wù)，建成了臺灣第一座8英寸晶圓廠。然而由于投資規(guī)模太小，產(chǎn)能微不足道，世界先進(jìn)根本無力與韓國三星、日本NEC等巨無霸進(jìn)行同場廝殺，成立十年中僅盈利過兩年，到2003年已經(jīng)累計(jì)虧損達(dá)194.12億新臺幣，被迫退出了DRAM生產(chǎn)。隨后在持股30%的臺積電主導(dǎo)下，世界先進(jìn)也轉(zhuǎn)型成了晶圓代工廠。

世界先進(jìn)曾是臺灣唯一一家能夠進(jìn)行DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)的企業(yè)。通過對世界先進(jìn)，以及之后的力晶、世大等收購整合，臺積電成為全球半導(dǎo)體代工之王的同時，也消滅了臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主開發(fā)的能力。

除了讓臺積電“背鍋”之外，沒有自主的核心技術(shù)體系也是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資不足的原因。無論是日韓還是美國，DRAM巨頭們的研發(fā)費(fèi)用平均占到營收的15%～20%，而臺灣企業(yè)的研發(fā)費(fèi)用比例僅為6%。這是因?yàn)椋磕昱_灣半導(dǎo)體企業(yè)要向美日歐支付超過200億元新臺幣以上（6億美金）的技術(shù)授權(quán)費(fèi)用，再加上巨額的進(jìn)口設(shè)備投資，使得臺灣企業(yè)根本無力再投入巨資進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。

總結(jié)

縱觀幾十年來日韓和中國臺灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的搏殺史，我們可以嘗試著得出幾個結(jié)論：

1. 半導(dǎo)體芯片這個行業(yè)，與其說是企業(yè)之間的拼殺，不如說是國力的比拼。與其他市場化競爭的行業(yè)不同，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要持續(xù)不斷巨額投入的同時，行業(yè)自身卻有著極強(qiáng)的周期性，這使得純粹以市場規(guī)律運(yùn)行的商業(yè)公司難以憑借一己之力存活下去。

美國依靠軍用轉(zhuǎn)民用的道路和先發(fā)優(yōu)勢屹立不倒，日本曾經(jīng)靠“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的集團(tuán)軍作戰(zhàn)方式獨(dú)占鰲頭，而韓國則是憑借國家的投入和三星財(cái)閥獨(dú)特的集權(quán)式管理殺出一條血路。

反觀臺灣，雖有美國不遺余力的技術(shù)支持和一代代精英人才的不懈努力，卻因?yàn)槿狈φ鲗?dǎo)，也沒有志在高遠(yuǎn)的巨無霸企業(yè)，導(dǎo)致在全球半導(dǎo)體，尤其是DRAM產(chǎn)業(yè)中只能如流星劃過。

2. 如果說政府投入是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動力，那么擁有自主的核心技術(shù)體系就是產(chǎn)業(yè)賴以生存的靈魂。如果日本不是在七十年代末以舉國之力和巨額資金完成了VLSI項(xiàng)目從而一舉獲得了獨(dú)立自主的核心技術(shù)，如果韓國不是在八九十年代憑借三星財(cái)閥拼命三郎般的投資風(fēng)格得以擺脫對美國技術(shù)轉(zhuǎn)移的依賴，如果日韓政府不是高屋建瓴的培育產(chǎn)業(yè)鏈，包括打造上游的核心設(shè)備和原材料行業(yè)，那么他們總會在某次的行業(yè)低潮周期被他國一舉擊敗不得翻身，一如金融危機(jī)時的臺灣。

3. 如果說技術(shù)這個產(chǎn)業(yè)靈魂還能靠不計(jì)成本的資金投入，以及學(xué)校實(shí)驗(yàn)室、政府研究所的外部支援快速追趕，那么真正要在商業(yè)領(lǐng)域要和競爭對手進(jìn)行白刃戰(zhàn)，量產(chǎn)工藝是必須要解決的難題，而這就只能憑借時間積累或者技術(shù)轉(zhuǎn)移方能完成。

良品率的改善很難依靠某個天才的發(fā)明解決，工藝水平的提高要建立在無數(shù)個失敗的生產(chǎn)批次之上，而這一切都需要企業(yè)拋開短期的浮躁和盈利沖動，著眼大局和未來方可達(dá)成。這無疑需要政府在背后的大力支持，甚至需要一些“委曲求全”去換取他人已有的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)。

小不忍則亂大謀，這是深諳此道的日韓能夠在這一產(chǎn)業(yè)崛起的原因，也是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)想要走向輝煌的關(guān)鍵。